化学品概述
橙色透明的晶体。熔点1477℃。相对密度4.13。其离解压为3.5±1MPa。难溶于稀、浓盐酸、硝酸。是半导体。高热产生有毒磷氧化物烟雾
基本信息
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中文名称：
磷化镓
-
中文别名：
磷化镓;磷化镓, 99.999% (METALS BASIS);磷化镓, 99.999%
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英文名称：
GALLIUM PHOSPHIDE
-
英文别名：
galliummonophosphide;GALLIUM PHOSPHIDE;Gallium phosphide (99.999% Ga) PURATREM;GALLIUM PHOSPHIDE, 99.99%;GALLIUM PHOSPHIDE, SINGLE CRYSTAL SUBST&;Gallium phosphide, polycrystalline, 99.9%;GALLIUM PHOSPHIDE: 99.9%;Gallium phosphide, 99.999% (metals basis)
-
分子式：
GaP
-
分子量：
100.7
-
CAS：
12063-98-8
-
EINECS编号：
235-057-2
- MDL编号：
- 精确质量：
- InChI：
- InChI Key：
-
MOL文件：
12063-98-8.mol
- PSA：
- LogP：
- FEMA编码：
- COE编码：
理化性质
-
外观性质：
Solid；Pale orange
-
熔点：
1480 °C
- 沸点：
-
密度：
4.13 g/mL at 25 °C
-
折射率：
2.9
- 比旋光度：
-
闪点：
230 °F
-
溶解性：
230 °F
-
酸度系数（pKa）：
Insoluble in water.
- 相对极性：
- PH值：
- 爆炸极限值（explosive limit）：
- 敏感性：
- 储存条件：
- 检测方法：
- 蒸气压：
-
Merck：
14,4353
- BRN：
- NIST化学物质信息：
- EPA化学物质信息：
安全信息
-
危化品标志：
Xi
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危化代码：
36/37
-
安全代码：
26
- 海关编码/HS编码：
-
危化品运输编码：
3288
-
WGK Germany：
2
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RTECS：
LW9675000
-
TSCA：
Yes
- 危化等级：
- 包装类别：
-
毒理资料：
低毒
-
灭火剂：
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
应用领域
用于太阳能电池转换率高的InGaAsP/InP等半导体中。发光二极管大量用于控制灯、显示仪表或面发光元件等，发光二极管所用磷化物半导体有GaP、GaAsP等。红色发光二极管使用GaP或GaAsP等。黄、橙色发光二极管以GaAsP为主体。
制备方法/合成路线
目前主要用高压单晶炉液体密封技术和外延方法制备磷化镓晶体。液体密封直拉法采用高压单晶炉，将多晶磷化镓加入单晶炉的合金石英坩埚中，再经抽真空、熔化，在充以5.5 Mpa氩气压下，用三氧化二硼液封拉晶。因磷化镓分解压力很大，在典型生长条件下，有一定量的磷溢出并与三氧化二硼作用，使三氧化二硼透明性变差，并有部分冷凝在观察孔上妨碍观察，为此可用X射线扫描及称量法等来控制晶体直径，制得磷化镓单晶成品。合成溶质扩散法(SSD法)将镓放入石英坩埚中，镓源温度在1100～1150℃之间，坩埚底部放磷化镓籽晶处温度为1000～1050℃，磷源温度为420℃，这时产生约0.1 Mpa磷蒸气压，在1150℃磷化镓的离解压为0.67Pa，所以在0.1 Mpa磷蒸气压下，磷化镓可以稳定生长。开始时，磷蒸气与处在高温的镓表面反应生成磷化镓膜。此磷化镓溶于下面的镓液中并向坩埚底部扩散，由于坩埚底部温度较低，当磷化镓超过溶解度时，就会析出晶体，如磷源足够，最后会将镓液全部变成磷化镓晶体。磷化镓外延生长用上述方法制备的单晶主要用来作衬底。用液、气相外延方法能用来制备薄膜单晶。磷化镓液相外延方法主要有浸渍法、转动法和滑动舟法。目前采用较多的是滑动舟法。气相外延主要有：Ga-PCI3-H2；GaHCl-PH3-H2；GaP-H2O(HCl)-H2系统和MOCVD法(金属有机热分解气相生长法)。最近采用InP与InP；aAsP多层结构半导体开发了具有光增幅、光演算、光记忆等功能的元件。
参考资料
- Prepn and description: Folberth, Oswald, Z. Naturforsch. 9a, 1050 (1954); Wolff et al., Phys. Rev. 94, 753 (1954); Antell, Effer, J. Electrochem. Soc. 106, 509 (1959); 107, 252 (1960); Frosch, Derick, ibid. 108, 251 (1961); Addamiano, J. Am. Chem. Soc. 82, 1537 (1960); Gershenzon, Mikulyak, ibid. 108, 548 (1961); Pizzarello, ibid. 109, 226 (1962). Seguin, Gans, US 2862787 (1958); Chang, US 2921905 (1960 to Westinghouse).
MSDS
MSDS
图谱
计算化学数据
- 疏水参数计算参考值（XlogP）：
- 氢键供体数量 ：
- 氢键受体数量：
- 可旋转化学键数量：
- 拓扑分子机型表面积（TPSA) ：
- 重原子数量：
- 形式电荷：
- 复杂度：
- 同位素原子数量：
- 确定原子立构中心数量：
- 不确定原子立构中心数量：
- 确定化学键立构中心数量：
- 不确定化学键立构中心数量：
- 共价键单元数量：
