设备名称：光致发光成像检测系统
生产厂家：自主研发
规格型号：PLI-212-3
技术指标：测量面积（mm2）：1×1～156×156（可定制）； LED：峰值波长650nm； 功率：500W； 相机：InGaAs CCD； 测试电流范围（mA）：0.001~1； 测试模式：PL mapping，EL mapping； 测量方式：一体式测量； 测量时间：~1s； 工作温度范围：0°C -50°C； 分辨率：320*240。
主要功能：（1）太阳电池片PL和EL成像，对电池片内部复合缺陷进行检测； （2）对晶硅片内部缺陷进行检测； （3）对电池片串联电阻，开路电压，饱和暗电流进行检测； （4）可测晶硅片和电池片的扩散长度分布； （5）可检测断栅等电学缺陷； （6）表征电压横向扩展及表层电阻的均匀性； （7）可用于电池片生产的各个工艺步骤； （8）检测精度高，成像速度快； （9）可依据用户具体需求，特殊定制。
其他信息：
系统简介：
光致发光成像（Photoluminescence imaging，PLI）检测系统是一种采用激发光源激发太阳电池产生荧光信号，并采用CCD相机对荧光信号进行采集，从而实现一体化快速成像的技术。不同区域的荧光信号受到电池片复合参数和电学参数的影响，因此能够有效反映电池片的二维分布特征。该系统同时还集成了电致发光成像（Electroluminescence imaging，ELI）检测系统。
系统可广泛应用于晶硅太阳电池生产过程中，从晶元到成型组件的各个工艺步骤的参数检测和质量把控。适合广大科研工作人员以及企业研发人员研究。
系统组成：
系统主要由控制系统，成像系统，电学系统组成。控制系统包含电脑主机，成像软件，LED光源控制电源；成像系统主要包含LED光源，CCD相机，滤光片系统；电学系统主要由载物台，源表组成。
应用案例
3´3 mm2多晶硅太阳能电池平面的光致发光成像（PLI）如图2所示，能够反映出多晶硅太阳电池位错隐裂等内部缺陷的分布特征。
串联电阻表征
断栅检测
开路电压表征
